石英玻璃的形成是由于其熔體高溫黏度很高引起的結(jié)果。用于制作半導(dǎo)體、電光源器、半導(dǎo)通信裝置、激光器、光學(xué)儀器、實驗室儀器、電學(xué)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和耐高溫耐腐蝕的化學(xué)儀器、化工、電子、冶金、建材以及國防等工業(yè),應(yīng)用十分廣泛。高純石英玻璃可制光導(dǎo)纖維。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,石英玻璃被廣泛的用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的各項工序中。比如,直拉法把多晶轉(zhuǎn)化成單晶硅;清洗時用的清洗槽;擴散時用的擴散管、刻槽舟;離子注入時用的鐘罩等等。
石英玻璃是一種只含二氧化硅單一成份的特種玻璃。由于種類、工藝、原料 的不同,國外常常叫做硅酸玻璃、石英玻璃、熔融石英、熔凝石英、合成熔融石英,以及沒有明確概念的透明、半透明、不透明石英等。我國統(tǒng)稱石英玻璃,多按工藝方法、用途及外觀來分類,如電熔透明石英玻璃、連熔石英玻璃、氣煉透明石英玻璃、合成石英玻璃、不透明石英玻璃、光學(xué)石英玻璃、半導(dǎo)體用石英玻璃、電光源用石英玻璃等。人們習(xí)慣于用“石英”這樣一個簡單的詞匯來命名這種材料,這是絕對不妥的,因為“石英”是二氧化硅結(jié)晶態(tài)的一種通稱,它與玻璃態(tài)二氧化硅在理化性質(zhì)上是有區(qū)別的。
石英玻璃具有極低的熱膨脹系數(shù),高的耐溫性,極好的化學(xué)穩(wěn)定性,優(yōu)良的電絕緣性,低而穩(wěn)定的超聲延遲性能,最佳的透紫外光譜性能以及透可見光及近紅外光譜性能,并有著高于普通玻璃的機械性能。因此它是近代尖端技術(shù)中空間技術(shù)、原子能工業(yè)、國防裝備、自動化系統(tǒng),以及半導(dǎo)體、冶金、化工、電光源、通訊、輕工、建材等工業(yè)中不可缺少的優(yōu)良材料之一。
石英玻璃是用天然結(jié)晶石英(水晶或純的硅石),或合成硅烷經(jīng)高溫熔制而成。熔融后的產(chǎn)品具有極好的加工性能,在其高的粘度范圍內(nèi),可以將管和棒進行有如普通玻璃細工一樣的熱加工,還可以用金剛石或碳化硅制成的磨具進行高速機械加工,從而制成各種復(fù)雜形狀的儀器和特種制品。石英玻璃的性能主要取決于它的純度,其次是工藝過程或熱工制度。微量雜質(zhì)的存在將給石英玻璃的使用性能帶來重大的影響;同時由于工藝過程或熱工制度的稍有疏忽,將給外觀質(zhì)量帶來多種多樣的缺陷,產(chǎn)生大量的廢次產(chǎn)品。
純度是石英玻璃的重要指標,對理化性能和使用性能影響甚大,如失透性、高溫強度、軟化點、光的傳導(dǎo)、熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性、耐輻射性、熒光特性等;此外,用于半導(dǎo)體工業(yè)的石英玻璃,對純度的要求更為苛刻,微量的雜質(zhì)將給半導(dǎo)體材料的電性能和壽命以及集成度帶來嚴重的影響。由于半導(dǎo)體材料的純度要求控制在ppb數(shù)量級以下,因此石英玻璃則應(yīng)控制在PPm數(shù)量級以適應(yīng)半導(dǎo)體工業(yè)的需要。B的分凝系數(shù)近于1,最難除掉,是最有害的雜質(zhì)之一,Cu、Fe、Ti等影響半導(dǎo)體的少子壽命,K、Na、Li是單晶材料產(chǎn)生微缺陷的有害雜質(zhì)。
失透(又叫析晶性)是石英玻璃的一個固有缺陷,從熱力學(xué)觀點看,石英玻璃 的內(nèi)能高于結(jié)晶態(tài)方石英,屬熱力學(xué)上不穩(wěn)定的亞穩(wěn)態(tài),當溫度高于1000℃時,SiO2 分子振動加速,經(jīng)一段較長時間的重新排列、定向便形成結(jié)晶。失透性是以晶核成長速度來表示的,不透明石英玻璃在1520℃、透明石英玻璃在1620℃析晶速度分別達到最大值。 析晶主要出現(xiàn)在表面,其次是內(nèi)部缺陷處,原因是這些地方容易沾污,引起雜質(zhì)離子的局部集聚,特別是堿離子(如K、Na、Li、Ca、Mg等)進入網(wǎng)絡(luò)后引起粘度降低,促使失透加速。 由于石英玻璃的熱膨脹系數(shù)和比重同析晶產(chǎn)物β-方石英相近,所以在高溫下連續(xù)使用時,盡管析晶區(qū)不斷擴大,但體積變化并不明顯,仍可滿意地繼續(xù)使用,此時尚可減輕玻璃的塑性變形,使耐火度提高。當析晶產(chǎn)物冷卻到800℃時,則出現(xiàn)細小的龜裂網(wǎng)絡(luò)。繼續(xù)冷卻到200-275℃時,則出現(xiàn)方石英從高溫型到低溫型(即β-方石英→a-方石英)的結(jié)構(gòu)變化,并伴隨著發(fā)生體積聚變,如果析晶層很深,則石英玻璃亦隨之破裂。由于析晶常常出現(xiàn)在有雜質(zhì)的地方,所以高溫使用前的表面狀態(tài)及周圍耐火材料、氣氛十分重要。
石英玻璃屬酸性材料,除氫氟酸和熱磷酸外,對其它任何酸均表現(xiàn)為惰性,是最好的耐酸材料。在常溫下堿和鹽對石英玻璃的腐蝕程度也是極微的,因此不排除在這些試劑中使用石英玻璃。透明石英玻璃比不透明石英玻璃具有更好的化學(xué)穩(wěn)定性,這是因為后者由于氣泡的存在暴露在腐蝕液中的表面積增加所致。
石英玻璃的結(jié)構(gòu)十分松弛,甚至在高溫下還允許某些氣體的離子通過網(wǎng)絡(luò)進行擴散,其中以鈉離子的擴散為最快。石英玻璃的這一性能對于使用者尤為重要,例如,半導(dǎo)體工業(yè)用石英玻璃作為高溫容器或擴散管時,由于半導(dǎo)體材料要求很高的純度,所以要求與石英玻璃接觸的作為爐襯的耐火材料必須預(yù)先經(jīng)過高溫和清潔處理,除掉鉀、鈉等堿性雜質(zhì),然后才能放入石英玻璃內(nèi)使用。
石英玻璃的光學(xué)性能有其獨到之處,它既可以透過遠紫外光譜,是所有透紫外材料最優(yōu)者,又可透過可見光和近紅外光譜。用戶可以根據(jù)需要,從185-3500mμ波段范圍內(nèi)任意選擇所需品種。由于石英玻璃耐高溫,熱膨脹系數(shù)極小,化學(xué)熱穩(wěn)定性好,氣泡、條紋、均勻性、雙折射又可與一般光學(xué)玻璃媲美,所以它是在各種惡劣場合下工作具有高穩(wěn)定度光學(xué)系統(tǒng)的必不可少的光學(xué)材料。石英玻璃的結(jié)構(gòu),雜質(zhì)含量,OH基因及NO、CO等含量是影響光譜透過率的主要因素,氧原子結(jié)合不良在0.24μ處則有吸收峰,含有OH基團的石英玻璃,在2.7μ處由于分子振動將產(chǎn)生明顯的吸收峰,紫外透過率低主要是由于金屬雜質(zhì)多造成原子吸收光譜所致。 石英玻璃的光譜特性曲線 電熔石英玻璃是很好的透紅外材料,但由于雜質(zhì)的存在,紫外透過率低。氫氧焰熔制水晶所獲得的石英玻璃,由于氧結(jié)構(gòu)缺陷,在0.24μ處有吸收峰,同時含有OH基團,所以紅外透過極低。用合成原料氣煉的高純光學(xué)石英玻璃是最好的透紫外材料,但在2.7μ處有嚴重的OH吸收峰。只有用合成原料通過電熔或無氫火焰熔融而成的光學(xué)石英玻璃,才能很好地透過從遠紫外到近紅外的連續(xù)光譜。
石英玻璃的熱膨脹系數(shù)小,為5.5×10-7/℃,只有普通玻璃的1/12~1/20.標準規(guī)定將試樣灼燒到1200℃后急速投到冷水中,反復(fù)三次以上不允許炸裂。石英玻璃加入適量鈦元素后還可做成零膨脹系數(shù)的材料,在激光技術(shù)、天文和尖端技術(shù)中。
注意事項:
1.石英玻璃制品是貴重的材料,使用時必須輕拿輕放,十分小心;
2.各種石英玻璃都有一個最高使用溫度,使用時不應(yīng)超過此溫度,否則會析晶或軟化變形;
3.需高溫使用的石英玻璃,使用前必須擦拭干凈??梢杂?/span>10%的氫氟酸或洗液浸泡,然后用高純水清洗或酒精處理。操作時應(yīng)戴細線手套,不允許用手直接觸及石英玻璃;
4.高溫下允許連續(xù)使用石英玻璃制品,這對延長石英玻璃的壽命和提高耐溫性能是有好處的。反之,高溫下間歇使用石英玻璃制品,其使用次數(shù)是有限的;
5.石英玻璃材質(zhì)雖具有極高的熱穩(wěn)定性,可以經(jīng)受劇烈的溫差驟變。但實際使用時,由于殘余應(yīng)變和產(chǎn)品形狀不同,熱穩(wěn)定性有一定的差別,使用時應(yīng)加以注意;
6.石英玻璃系酸性材料,高溫使用時嚴格避免同堿性物質(zhì)(如水玻璃、石棉、鉀鈉的化合物等)接觸,否則將大大降低其抗結(jié)晶性能。
主要性能
不同的性能
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參數(shù)
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JGS1
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JGS2
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JGS3
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尺寸
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<Φ200mm
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<Φ300mm
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<Φ200mm
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透過范圍
(透過比)
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0.17~2.10um
(Tavg>90%)
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0.26~2.10um
(Tavg>85%)
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0.25~3.50um
(Tavg>85%)
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調(diào)制解調(diào)器容量
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1200 ppm
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150 ppm
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5 ppm
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熒光度 (ex 254nm)
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Virtually Free
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Strong v-b
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Strong V-B
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雜質(zhì)容量
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5 ppm
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20-40 ppm
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40-50 ppm
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應(yīng)力雙折射
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2-4 nm/cm
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4-6 nm/cm
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4-10 nm/cm
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熔融法
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Synthetic CVD
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Oxy-hydrogen melting
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Electrical melting
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應(yīng)用
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Laser substrate: Window, lens, prism,
mirror...
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Semiconductor and high temperature window
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IR substrate
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相同的性能
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密度
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2.20g/cm3
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阿貝系數(shù)
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67.6
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折射率 (nd) 588nm
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1.4586
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波長 (um)
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折射率 (n)
|
波長 (um)
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折射率 (n)
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0.200
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1.55051
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1.000
|
1.45042
|
0.220
|
1.52845
|
1.064
|
1.44962
|
0.250
|
1.50745
|
1.100
|
1.44920
|
0.300
|
1.48779
|
1.200
|
1.44805
|
0.320
|
1.48274
|
1.300
|
1.44692
|
0.360
|
1.47529
|
1.500
|
1.4462
|
0.400
|
1.47012
|
1.600
|
1.44342
|
0.450
|
1.46557
|
1.700
|
1.44217
|
0.488
|
1.46302
|
1.800
|
1.44087
|
0.500
|
1.46233
|
1.900
|
1.43951
|
0.550
|
1.46008
|
2.000
|
1.43809
|
0.588
|
1.45860
|
2.200
|
1.43501
|
0.600
|
1.45804
|
2.400
|
1.43163
|
0.633
|
1.45702
|
2.600
|
1.42789
|
0.650
|
1.45653
|
2.800
|
1.42377
|
0.700
|
1.45529
|
3.000
|
1.41925
|
0.750
|
1.45424
|
3.200
|
1.41427
|
0.800
|
1.45332
|
3.370
|
1.40990
|
0.850
|
1.45250
|
3.507
|
1.40566
|
0.900
|
1.45175
|
3.707
|
1.39936
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